Väitös puolijohdeteknologian alalta, M.Sc.(Tech.) Guillaume von Gastrow

2017-09-15 12:00:00 2017-09-15 23:59:59 Europe/Helsinki Väitös puolijohdeteknologian alalta, M.Sc.(Tech.) Guillaume von Gastrow Väitöksen nimi on “Atomic layer deposited alumina on black silicon: passivation, electrical properties and application to high-efficiency solar cells” http://old.ele.aalto.fi/fi/midcom-permalink-1e75d817ce087125d8111e782adcb157ba639873987 Maarintie 8, 02150, Espoo

Väitöksen nimi on “Atomic layer deposited alumina on black silicon: passivation, electrical properties and application to high-efficiency solar cells”

15.09.2017 / 12:00
TUAS-talo sali AS1, Maarintie 8, 02150, Espoo, FI

Map © OpenStreetMap. Some rights reserved.

Vastaväittäjänä toimii professori Erwin Kessels, Technische Universiteit Eindhoven, Alankomaat

Valvojana on professori Hele Savin, Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulu, elekroniikan ja nanotekniikan laitos.

Väitöstiedote  (pdf.)

Väitöskirjan verkkosivu

Väittelijän yhteystiedot: Guillaume von Gastrow, 050 431 8869, guillaume.von.gastrow@aalto.fi
Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland